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资料
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY SIHP7N60E-GE3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 600 V, 0.5 ohm, 10 V, 2 V833010+￥7.9944100+￥7.5947500+￥7.32821000+￥7.31492000+￥7.26165000+￥7.19507500+￥7.141710000+￥7.1150 -
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品类: 中高压MOS管描述: N 通道 MOSFET，600V 至 1000V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor69625+￥4.263325+￥3.947550+￥3.7264100+￥3.6317500+￥3.56852500+￥3.48965000+￥3.458010000+￥3.4106 -
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY SIHP22N60S-E3 Power MOSFET, N Channel, 22A, 600V, 160mohm, 10V, 2V75545+￥17.059850+￥16.3307200+￥15.9225500+￥15.82041000+￥15.71832500+￥15.60175000+￥15.52887500+￥15.4559 -
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品类: 中高压MOS管描述: N 通道 MOSFET，E 系列，低品质因数，Vishay Semiconductor Vishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管，具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。 ### 特点 低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg 低输入电容 (Ciss) 低接通电阻（RDS（接通）） 超低栅极电荷 (Qg) 快速切换 减少切换和传导损耗 ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor57115+￥21.199250+￥20.2933200+￥19.7859500+￥19.65911000+￥19.53232500+￥19.38735000+￥19.29677500+￥19.2061 -
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY SIHP24N65E-E3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 650 V, 0.12 ohm, 10 V, 2 V58175+￥20.799150+￥19.9102200+￥19.4125500+￥19.28801000+￥19.16362500+￥19.02145000+￥18.93257500+￥18.8436 -
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品类: 中高压MOS管描述: N 通道 MOSFET，E 系列，低品质因数，Vishay Semiconductor Vishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管，具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。 ### 特点 低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg 低输入电容 (Ciss) 低接通电阻（RDS（接通）） 超低栅极电荷 (Qg) 快速切换 减少切换和传导损耗 ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor2736 -
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品类: 中高压MOS管描述: N 通道 MOSFET，E 系列，低品质因数，Vishay Semiconductor Vishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管，具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。 ### 特点 低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg 低输入电容 (Ciss) 低接通电阻（RDS（接通）） 超低栅极电荷 (Qg) 快速切换 减少切换和传导损耗 ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor4990
